SJ 20061-1992 半导体分立器件CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

SJ 20061-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of type CS146. 1范围 1.1主题内容 SJ 20061规定了CS146型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4586-84场效应晶体管测试方法 GB 7581- -87半导体分 立器件外形尺寸 GJB 33- -85半导 体分立器件总规范 GJB 128--86半导 体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2 设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或授锡.对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见第6章)。 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对 GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。