SJ 20062-1992 半导体分立器件3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范

SJ 20062-1992.Semiconductor discrte device Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of type 3DG210. 1范围 1.1主题内容 SJ 20062规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范)的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4587-84双极型晶体管测试方法 GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33--85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定. 3.2设计 、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为可伐.引出端表面餘层应为镀金.镀锡或浸锡.对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见第6章)。 3.3标志 器件的标志应按GJB 33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。