SJ 20060-1992 半导体分立器件3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范

SJ 20060-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for sllcon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120. 1范围 1.1主题内容 SJ 20060规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件>的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4587--84双极型晶体管测试方法 GB 7581-81半导体分立器件外形尺寸 GJB33-85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为可伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定<见第6章)。 3.3标志 器件的标志应按GJB 33的规定。 4质置保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对 GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。