SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓拋光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11490-2015.Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers. 1范围 SJ/T 11490规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。 SJ/T 11490适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5 00em2的圆形GaAs晶片的EPD的测量。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 8760-2006砷化镓单晶位错密度的测量方法 3方法原理 对砷化镓抛光片进行熔融氢氧化钾腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量。 4仪器设备 显微镜:测量视场面积应为0.01 cm?或更大。 5化学试剂 5.1硫酸(p=1.84 g/mL) ,浓度95%~98%，优级纯。 5.2过氧化氢 (p=1.00 g/mL) ,浓度230%， 优级纯。 5.3氢氧化钾， 浓度>85%，优级纯。 6试样制备 按照GB/T 8760- 2006要 求制备试样。 7测量步骤 7.1 直径2英寸晶片和3英寸晶片的计数位置分别示于图I和图2.计数点位于每个网格的中心。对于直径2英寸晶片，网格边长为5mm，计数点总数为69个，第35点位于晶片中心。而对于直径3英寸品片，网格边长为10mm,计数点总数为37个，第19点位于晶片中心。 7.2计数并记录其中心在测量 视场内的腐蚀坑个数。如果腐蚀坑太密集而难以计数，那么提高放大倍数。然后，计数腐蚀坑数并记录结果以及显微镜放大倍数。