SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11489-2015.Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers. 1范围 SJ/T 11489规定了低位错密度磷化铟(InP) 抛光片腐蚀坑密度(EPD) 的测量方法。 SJ/T 11489适用于直径2英寸且EPD小于500em的圆形InP晶片的EPD的测量。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注8期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 3术语和定义 GBT 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4方法原理 对磷化钢抛光片进行磷酸(HPO,)和氢溴酸(HBr)混合液腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量。 5仪器设备 显微镜:测量视场面积应为0.01 cm2或更大。 6化学试剂 6.1 磷酸(ρ=1.685 g/mL) ,浓度≥85%，分析纯。 6.2氢溴酸(ρ=1.38 g/mL)，分析纯。 7样品制备 7.1确定晶锭的晶向使得样品前表面的法线方向与<100>平行，偏差小于59，然后再切片。 7.2抛光品片，使之呈镜面，然后清洗、干燥。 8测量步骤 8.1将H;PO4和HBr混合于烧杯中，比例(体积比)为HPO4: HBr=2: 1.