SJ/T 11516-2015 薄膜晶体管(TFT)用掩模版规范

SJ/T 11516-2015.Specification for thin film transistor(TFT) mask. 1范围 SJ/T 11516规定了薄膜晶体管(TFT) 用掩模版产品的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和储存。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB 50073-2001净化厂房设计规范 GB 191包装储运图示标志 GB/T 16880-1997光掩模缺陷分类和尺寸 定义的准则 GB/T 2828.1-2003计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 SJ/T 10584-1994微电 子学光掩蔽技术术语 SJ/T 10857-1996铬版及 其测试方法 SJ/T 10858-1996玻璃及铬版 表面平整度的测试方法. SJ/T 10859-1996铬版铬膜和胶膜厚度的测试方法 SJ/T 10860-1996铬版铬膜表面 反射率的测试方法 SJ/T 10861-1996铬版光密度的测试方法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 薄膜晶体管(TFT) thin film transistor (TFT) 在基板上:采用半导体薄膜工艺制成的晶体管。 3.2 薄膜晶体管用掩模版thin film transistor(TFT) mask 承载有薄膜晶体管设计版图的，可通过曝光工序进行图形转移复制TFT各层电极版所使用的母版。 3.3 CD精度critical dimension accuracy 图形中特征线条制作宽度与设计值的偏差，用来表征整版特征线宽均匀性。