SJ 20177-1992 半导体分立器件3CK3634 ~ 3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管详细规范

SJ 20177-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for PNP silicon low-power switching transistor for types 3CK 3634~3CK 3637. 1范围 1.1主题内容 SJ 20177规定了3CK3634~3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸应符合GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定,见图1。 2引用文件 GB4587-84双极型晶体管测试方法 GB 7581-87半导体分 立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分 立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2设计结 构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定. 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为柯伐,引线涂层应为镀金或镀锡。对涂层要求选择时,在合同或订单中应明确规定(见6)。 3.3 标志 器件的标志应按GJB33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB33的规定。 4.3筛选(仅对 GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。