SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法

SJ/T 11504-2015.Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide. 1范園 SJ/T 11504规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。 SJ/T 11504适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 GB/T 25915.1-2010洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级 3术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4方法原理 抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且可被目测观察到。据此可直接(或采用5倍~10倍放大镜)目视检测抛光片的表面缺陷。 5测试设备 5.1高强度汇聚光源: 钨丝灯，离光源100 mm处汇聚光斑直径(20~40) mm，照度不小于16 000 lx。 5.2大面积漫射光源:可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面.上的光强度为(430~650) cd. 5.3净化台:洁净度应优于GB/T 25915.1- 2010 规定的ISO5级要求。 5.4真空吸笔: 不可引入任何缺陷。 5.5放大镜: 放大倍数为(5~10)倍。 5.6长度测量工具: 分度值不大于1 mm的钢板尺。 6环境条件 6.1环境温度: (18~28) C. 6.2环境湿度应不大于 75%。 6.3洁净室:洁净度应优于GB 25915.1- 2010 规定的ISO6级要求。