SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法

SJ/T 11503-2015.Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers. 1范围 SJ/T 11503规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法，包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。 SJ/T 11503适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中，原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几纳米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的用是必不可少的。凡是注日期的引用文件仪注四期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 14264半导体材科水螺 GB/T 259151-2019/洁净室及相关受控环境第1部分:空气法净度等级 3术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4表面轮廓仪法 4.1方法原理 表面轮廓仪的微现生被施以一定压力在样品表面做直线移动,样品表面高低的变化被转化成电信号并被记录下来，通过数据处理可以得出样品表面的粗糙程度。 4.2仪器设备 表面轮廓仪，测量精度优501结构风事理如图1后示 4.6样品测试区域的选择 4.6.1当没有指定测试方向时，样品的放置应垂直于被测表面的加工纹理。对于无方向性的表面，测试的方向可以是任意的。 4.6.2若要评价整片 样品的粗糙度，测试点选取如图2所示。