SJ 20185-1992 半导体分立器件2DW232~236型硅电压基准二极管详细规范

SJ 20185-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage reference diodes for types 2DW232~236. 1范围 1.1主题内容 SJ 20185规定了2DW232~ 2DW236型硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33(半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP.GT和GCT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中代号为A3-02B型的规定,如图1所示。 1.4主要电特性 见表5。 2引用文件 GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法 GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2设计结构和外形尺寸 设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定. 3.2.1引线材料和涂 层 引线材料应是可伐(铁.镍、钴合金)、杜美丝(铜被铁镍合金)或铜丝等材料。引线涂层应镀金或镀银,亦可镀锡或浸锡。选用的材料和涂层可在订货单或合同中规定(见6.2)。 3.2.2器件内 部结构 芯片与支架采用治金烧绪,芯片与内引线末端采用超声键合工艺。 3.3测试方法 测试方法应按GB6571及本规范的规定. 3.4标志 器件上的标志应符合GJB 33及本规范的规定。 3.4.1极性 器件的阴极以该极近旁的白色色点表示。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应符合GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对GT 和GCT级) 筛选应符合本规范的规定.电特性测量应按本规范表4的规定进行,超过本规范表4中极限值的器件不应接收。