SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压

SJ/T 2658.2-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 2: Forward voltage. 1范围 SJ/T 2658.2规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.2适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分: 总则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 正向电压forward voltage Vp 通过器件的正向电流为规定值时，在其两极间产生的电压降。 4一般要求 测量正向电压的- -般要求应符合SJ/T 2658.1的规定。 5测量方法 5.1测量原理图 正向电压的测量原理图见图1。 5.2测量步骤 正向电压的测量按下列步骤进行: a)按图1连接测量系统，并进行仪器预热， b)调节恒流源，便正向电流IF为规定值，读取直流电压表示数得到被测器件的丽向电压值。 5.3 规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件， a)环境温度; b)正向电流。