SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则

SJ/T 2658.1-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 1: General. 1范围 SJ/T 2658.1规定了对半导体红外发射二极管(以下简称器件)进行光电参数测量的一-般要求， 包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。 SJ/T 2658.1适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 本章无内容。 3一般要求 3.1 测试仪表 3.1.1通则 各有关光电参数的测试仪器应预先进行计量检定或校准。 3.1.2直流测试仪表 直流测试仪表的准确度应优于0.5%。 3.1.3交流测试仪表 3.1.3.1电容仪 电容仪的准确度应优于1%。 3.1.3.2工作点指示用电表 工作点指示用电表的准确度应优于2.5%。 3.1.4 示波器 示波器的响应时间应满足测量准确度的要求。 3.2 电源 测量设备中用交流整流作直流电源时，波纹系数应不大于0.1%，电压稳定度应优于1%。 3.3测试环境条件 3.3.1标准大气条件 3.3.2 仲裁大气条件 如果被测参数受到环境温度、相对湿度及大气压强的影响，则可在下列仲裁大气条件下进行测量, 特殊要求在产品标准及技术条件中规定。 仲裁大气条件: 温度: 25 C+1 C; 相对湿度: 48 %~52 %; 大气压强: 86 kPa~ 106kPe2 3.3.3其他环境条件 除另有规定外，其他环境条件应按下列规定 a)测试环境应无影响测量准确度的机械振动、 电磁、静电和光照等干抗; b)器件全部光电参数均应在热 平衡下进行(要有足够的测量预热时间); c)测量系应按地良好。