SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度

SJ/T 2658.8-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 8: Radiant intensity. 1范围 SJ/T 2658.8规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.8适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注8日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2900.65-2004 电工术语: 照明 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法 第1 部分:总则 CIE 127: 1997 技术报告LED测量 3术语和定义 GB/T 2900.65- 2004 界定的术语和定义适用于本文件。 4一般要求 测量辐射强度的一般要求应符合SJ/T 2658.1的规定。 5测量方法 5.1测量原理图 辐射强度的测量原理图见图1. 5.2测量步骤 辐射强度的测量按下列步骤进行: a)按图1连接测量系统，并进行仪器预热; b)调节 电流源,给被测器件施加规定的正向电流后,用光度探测系统测量被测器件的辐射强度值。 注:该方法适用于三种状态下对器件辐射强度测量。 状态1:将光学试验台的光轴对准器件的机械轴。 状态2:将光学试验台的光轴对准器件的光轴。 状态3:依据与器件外壳结构相对应的基准进行定位，以便获得重复机械定位。 5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件: