SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量

SJ/T 2658.7-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 7: Radiant flux. 1范围 SJ/T 2658.7规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.7适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注8期的引用文件，仅注8期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法 第1部分: 总则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 辐射通量radiant flux 在规定的正向电流作用下，器件所辐射的全部通量。 4一般要求 测量辐射通量的一般要求应符合SJ/T 2658.1. 5测量方法 5.1测量原理图 辐射通量的测:量原理图见图1. 5.2测量步骤 辐射通量的测量按下列步骤进行。 a)按图1 连接测量系统，将被测器件放在积分球入口处，调节遮光屏，以避免光度探测系统的探测头直接受到光辐射; b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流后，用光度探测系统测量辐射通量值φ。 5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件: a)环境温度; b)正向电流 Ipo .