SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻

SJ/T 2658.5-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 5:Series connection resistance. 前言 SJ/T 2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分: ——第1部分:总则; ——第2部分: 正向电压; ——第3部分:反向电压和反向电流; ——第4部分:总电容; ——第5部分:中联电阻: AND INFO: ——第6部分:辐射功率; ——第7部分:辐射通量 ——第8部分: 辐射强度; , ——第9部分;/辐射强度空间分布和半强度角; ——第10部分:调制带宽 ——第11部分:响应时间: ——第12部分峰值发射波长和光谱辐射帶宽; ——第13 部分:辐射功率温度系数: ——第14部分:结温; ——第15部分，热阻; ——第16 部分:光电转换效率 本部分为SJE2058的第5部分。 本部分按照GB/T1.1- 2009 《标准化工作导则第1部分 :标准的结构和编写》给出的规则起草。 本部分代替SJ/T2658.6- 1986 《半导体红外发光二极管测试方法正间 串联电阻的测试方法》，除编辑性修改外主要技术变化如下: 1范围 SJ/T 2658.5规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)串联电阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.5适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 2658.1半 导体红外发射二极管测量方法第1部分: 总则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 串联电阻series connection resistance 正向工作状态下，在被测器件I-V特性曲线(见图1)的线性区内,器件两极之间的电压增量与通过器件的电流增量之比。计算方法见公式(1):