SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容

SJ/T 2658.4-2015.Measuring method for semiconductor infrared- emitting diode-Part 4: Total capacitance. 1范围 SJ/T 2658.4规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.4适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仪注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法 第1部分: 总则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 总电容total capacitance 在规定的正向电压和频率下，被测器件两端的电容值。 4一般要求 测量总电容的一般要求应符合SJ/T 2658.1的规定。 5测量方法 5.1测量原理图 总电容的测量原理图见1。 5.2测量步骤 总电容的测量按下列步骤进行: a)按图1连接测量系统， 并进行仪器预热: b)调节电容仪和稳压源， 分别给被测器件施加规定的正向电压和规定频率的信号 c)读取 电容仪的读数，扣去隔离电容C的等效值后即为被测器件的总电容值 5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件: . a)环境温度; b)正向电压; c)电容仪提供信号的频率和幅值。