SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法

SJ/T 2749-2016.Measuring methods for semiconductor laser diodes. 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T 2749- -1987 《半导体激光二极管测试方法》。 本标准与SJ/T 2749- 1987 相比主要变化如下: a)将辐射光谱宽度改为光谱辐射带宽 (见3.1),将辐射图改为近场图(见3.2),增加了动态范围(见3.3)、 输入1dB压缩点(见3.4)、 工作频率范围(见3.5)、 带内平坦度(见3.6)、 电压驻波比(见3.7)、输入三阶交调截止点(见3.8)、调制速率(见3.9)、射频回波损耗(见3.10)、动态消光比(见3.11)、 无杂散动态范围(见3.13) 的术语和定义; b)增加了一般要求(见4); c)将反向击穿电压改为反向电压(见5.2); 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人:王欣、谢亮、满江伟、王佳胜。 本次修订为首次修订。 1范围 SJ/T 2749规定了半导体激光二极管的光学、电学和热学参数的测试方法。 SJ/T 2749适用于带或不带尾纤的半导体激光二极管(以下简称“激光二极管”)。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的，其喝找日期的调文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注8期的引用文件，其發解版本(包括所有的临改单)适用于本文件。 GB/T 15651-1995半异体操件分立器件和集成电路第6部处<光电子器件 GB/T 11499-2001号体分业器件文字符号 CIE 127发光二极年的测试方法(measurement of LEDs ) 3术语和定义 GB/T 15651995和GBIT11499-2001界定的以及下列术每和定义适用于本文件。 3.1光 谱辐射带寞spectrum width 3.1.1 均方根谱室Uootmnean square spectrum width