SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

SJ/T 11627-2016.Online test methods for resistivity of silicon wafers for solar cell. 1范围 SJ/T 11627规定了太阳能电池用硅片电阻率在线测试的方法。 SJ/T 11627适用于测试边长大于25m、厚度为0.1~0.5mm的太阳能电池用硅片(简称硅片)的电阻率。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的这用是必不可少的。凡是注8期的引用文件，反注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文作的其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文。 GB/T 6616半与内重片电阳索及社薄膜游层 电阻测试方法北接触润流法, GB/T 14264体材料状近 GB/T 26071太阳能电池用佳单晶切割 GB/T 2905$5天阳电池用多晶硅片 3术语和定义 GB/T 6616、GB/T14264、GB/T12607H和GB/T 2055界定的术语和定义适用于本文件。 4方法提要 硅片电阻率在线测司党来用非接触涡流法。通过传送装置，硅片被传送到测读装置，硅片平插入共轴涡流探头之间的间身内，与振装回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流，则激励电流值的变化是碰片电子的雨效通过测试激励电流的变化明可测得试样的电导。通过测厚仪实时测试电阻率测试区域的硅代厚度风而计算出对应的电阻 5干扰因素 5.1GB/T 6616规定的所有干扰因素都适用于本标准。 5.2传送装置的速度若非 匀速会导致电阻率测试结果发生偏差。 5.3传送装置的振动幅度对电阻率测试有直接的影响。 5.4传送装置若有多个传送部分， 则各部分速度应保持-致，否则会造成硅片偏转，影响测试。 5.5硅片水平位置的变化会 导致测试点的变化，从而导致电阻率测试结果发生偏差。 5.6硅片中存在高密 度晶界时，可能会导致测试的电阻率结果偏高，需要提高测试探头内部交流电线圈的频率进行测试，参见附录A。