SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量

SJ/T 11496-2015.Determination of boron concentration in gallium arsenide by infrared absorption. 1范围 SJ/T 11496规定了在77 K时，用红外吸收法来测定砷化镓(GaAs)中替位硼含量的方法。 SJ/T 11496适用于电阻率大于10^6Ω●cm的半绝缘砷化镓单晶中替位硼含量的测试，测量硼含量的有效范围是。 2方法原理 本标准利用低温红外光指的特性，随着温度的降低，半导体材料中的杂质作为局域缺陷所引起的特征吸收峰会变锐，吸收系数增加，提高检测灵敏度。本标准通过参比方法区得合硼样品的红外透射谱，然后利用砷化镓中的整位碉在77K的，是外吸收晖吸收系数，来确定替位硼含量。 3干扰因素 3.1在硼的收谱带附近有一个砷化镓 双声子晶格的吸收振动者带，测试时用参方去扣除该晶格吸收干扰。要求无哪参比样品的要物与测试样品的厚度然小于2以避免砷化镓画格吸收的影响。 3.2对于硼浓网小于Bx10/7Call,可以使用分朋率进行测议对于接近检测下限的暂在度硼含量，可以用分解率或更高分辨率进行测武二 3.3在77K时御化镜中替位硼在517cm处吸收谱带的半高览。在光谱计算时，较大的半高宽物导致测试误差。 4测量仪器和材料 4.1傅立叶变换红外光谱仪 对于傅立叶变换红外光谱仪的分辨率应达到。 4.2千分尺 适用于测量样品厚度的千分尺，准确度为+0.01mm。