SJ 20310-1993 半导体分立器件3DD101型功率晶体管详细规范

SJ 20310-1993.Detail specification for type 3DD101 Power transistor. 1范围 1.1主题内容 SJ 20310规定了3DD101A~E 型NPN硅功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(CP GT GCT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸应按GB 7531《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定(见图1)。 2引用文件 GB 4587- 84双极型晶体管测试方法 GB 7581- 87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33- 85半导体分立器件总规范 GJB 128- 86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2设计、结构 和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。 3.2.1.引出线材料和涂层 引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应于规定。 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB33的规定。 4.3筛选(仅对GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。