SJ 20308-1993 半导体分立器件FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范

SJ 20308-1993.Detail specification for type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor. 1范围 1.1主题内容 SJ 20308规定了FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。每件按GJB33《半导体分立器件总规范)的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸应按GB7581<半导体分立器件外形尺寸》中B2-01D型及及下面规定(见图1)。 2引用文件 GB 4587-84双极型晶体管测试方法 GB 7581- -87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33- -85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2 设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。 3.2.1引出线材料和涂层. 引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对涂层有选择要求时,应在合同或订货单中予以规定。 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对 GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。