SJ 20438-1994 红外探测器用碲锡铅晶片测试方法

SJ 20438-1994.Methods for measurement of lead tin telluride slice for use in infrared detector. 1范围 1.1主题内容 SJ 20438规定了红外探测器用碲锡铅(PbpxSxT,)单晶片的电学参数、结构参数和组分的测试方法。 1.2适用范围 SJ 20438适用于红外探测器用碲锡铅外延衬底用单晶片的性能检测和评定，也适用于碲化铅和碲锡铅外延膜位错腐蚀坑的检测。 2引用文件 GB 8760--88砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB 11297.7--89锑化铟单晶电阻率及霍尔系数的测试方法 GJB 1785-93红外探测器用碲镉汞晶片测试方法 3定义 本章无条文。 4一般要求 4.1测量的环境 条件 温度:15~ 35C; 相对湿度:45% ~75% ; 气压:86~106KPa. 5详细要求 本标准采用独立编号方法,将四种测试方法列为: 方法101 碲锡铅单晶片定向. 方法201 组分X值的测定 方法301 位错腐蚀坑密度测量 方法401 电学参数的测量 3程序 3.1 受试单晶片的准备与处理 碲锡铅单晶体沿(100)晶面切割后的晶片尺寸应为10mmX15mmX1.5mm,晶片的表面色泽应均勾,无低角晶界和肉眼可见的裂纹。从晶体中切下的晶片,需经无水乙醇浸泡4h,去除虫胶(或其他粘接剂) ,并清洗干净。 3.2试验条件 a.电源功率≥0. 5kW; b.地面 平坦,无振动; c. 用标准石英片(1011)面调整零位。 3.3试验步骤 a.根据碲锡铅单晶片晶向(100)的衍射角20=27.42,定好计数器的角度; b.开机,调整工作电流2mA; c.预热10min后,开高压,将单晶片放在样品架上调整晶片,使其被测部位对准X光，开启吸气闸;