SJ 20068-1992 半导体分立器件2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范

SJ 20068-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for lower noise for silion voltage reference diode for type 2DW14~18. 1范图 1.1主题内容 SJ 20068规定了2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管(以下儕称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定.提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。 1.2 外形尺寸 外形尺寸应按GB 7581<半导体分立器件外形尺寸)中的A3-02B型,见图1。 2引用文件 GB 6571--86小功率信号二级管稳压及基准电压二极管测试方法 GB 7581- -87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总规范. GJB 33/006--89半导体分立器件电压调整和 电压基准二极管空白详细规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1 详细要求 各项要求应符合GJB 33和本规范的规定. 3.2缩写、符号和定义 本规范中使用的缩写、符号和定义应符合GJB 33和本规范的规定。 3.2.1长期稳定性(P) long term stabiliy 在给定的工作状态下,长时间内(>500h)基准电乐的相对变化值. 3.2.2噪声电压(V.) noise Voltage 在规定的测试条件下,电压基准二极管极间产生的随机变化的噪声电压峰值。 3.3设计 、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。 3.3.1引出端材料和涂层 引出端材料应是可伐、杜美丝或铜丝等材料.引出端徐层应镀锡或浸锡。选用的材料和涂层可在合同或订货单中规定(见6. 1条)。 3.3.2器件内部结构 芯片与支架采用冶金烧结,芯片与内引线末端采用超声键合工艺。 3.4标志 器件标志应按G]B 33及本规范的规定。 3.4.1极性.