SJ 20072-1992 半导体分立器件GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器详细规范

SJ 20072-1992.Detail specification for semiconductor opto-couplers for type CH24、GH25 and GH26. 1范围 1.1主题内容 SJ 20072规定了陶瓷封装的GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4587-84双极型晶体管测试方法 GJB 33-85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法. SJ 2215.1~2215.14-82半导体光耦合器测试方法. SJ/Z 9014.2-87半导体器件分立器件和集成电路第5部分;光电子器件 3要求 3.1 概述 各条要求应按GJB 33、SJ/Z 9014. 2和本规范的规定。 3.2缩写、符号和定义 本规范使用的缩写、符号和定义应符合GJB 33、SJ/Z 9014. 2和本规范的规定， Ip-正向瞬态峰值电流。 CTR--直流电流传输比。 Rumo-输入与输出间绝缘电阻。 Cim-输入与输出间电容。 Vuo-最大直流隔离电压。 3.3设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范图1的规定。 3.3.1引线材料和涂层 引线材料应为可伐合金或等效物。引线涂层应为涂金、镀锡或浸锡。如果要求选择引线涂层,应在合同中规定(见6.2条)。 3.4 标志 制造厂有权将GJB 33中规定的下列标志从管体省略。 a制造厂的识别。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对 GT和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1和表2的规定进行,超过表1和表2极限值的器件不应接收。