SJ 20058-1992 半导体分立器件3DK105型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

SJ 20058-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon NPN . low power switching transistor of type 3DK105. 1范围 1.1主题内容 SJ 20058规定了3DK105型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 CB 4587- -84 双极型晶体管测试方法 GB 7581-8787 半导体分立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法. 3要求 3.1详细要求 3 和本规范的规定。 各项要求应按GIB 33 3.2设计、结构和外形尺可口十点根GJB 33和本规范的规定。 器件的设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和馀层 引出端表面涂层应为为餿金、镀锡或设锡。 对引出端材料和涂层要求引出端材料应为可伐。中机中应明确规定(见第6章)。的选择或另有要求时,在合同或订 3.3标志 器件的标志应按GIB 33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验地GIB 33和本规范的规定。 抽样和检验应按GJ 4.2鉴定检验 鉴定检验应 GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对GT和GCT级) 下列谢试应按本规范表进行,超过规定极限值师送应校CJB 3袭2和本规范的规定的器件不应接收。