SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分:热阻

SJ/T 2658.15-2016.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 15: Thermal resistance. 1范围 SJ/T 2658.15规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)热阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.15适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注8期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 2658.1 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则 SJ/T 2658. 14半导体红外发射二极管测量方法 第14部分:结温 SJ/T 11394- -2009 半导体发光二极管测试方法 3术语和定义 SJ/T 11394-2009 界定的术语和定义适用于本文件。 4一般要求 测量热阻总的要求应符合SJ/T 2658. 1. 5测量方法 5.1.1测量原理图 热阻的测量原理图见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流,测量结温增量与通道耗散功率的比值，从而确定热阻。 5.3 规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件: a)环境或管壳温度; b)测量电流Im和加热电流Ih。