SJ 20016-1992 半导本分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范

SJ 20016-1992.Semiconductor diserete device Detail specification for NPN silicon low-power biht-reverse- voltage transistor for type 3DG182 GP、GT and GCT classes. 1范围 1.1主题内容 SJ 20016规定了3DG 182型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件均按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4587-84双极型晶体管测试方法 GB 7581-87半导体分 立器件外形尺寸 GJB 33--85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2 设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为柯伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见6)。 3.3标志 器件的标志应按GJB 33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2 鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对GT 和GCT级) 筛选应按GJB 33表2和本规范的规定、下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。