SJ 20012-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

SJ 20012-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field - effect transistor of type CS4 GP, GT and GCT classes. 1范围 1.1主题内容 SJ 20012规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 GB 4586- -84场效应晶体管测试方法 GB 7581- -87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33- -85半导体分立器件总规范 GJB128- -86半导体分立器件试验方法. 3要求 3. 1详细要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2设计结构和外形尺寸 器件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。 3.2.1引出 端材料和涂层 引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见6)。 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB33的规定。 4.3筛选(仅对GT 和GCT级) 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。