SJ/T 10807-1996 电子元器件详细规范2CL61、2CL62、2CL63、2CL64、2CL65、2CL66、2CL67、2L68型玻璃钝化封装高压硅堆

SJ/T 10807-1996.Detail specification for electronic component Glass pass ivated high vol tage rectifier silicon stack for types2CL61、2CL62、2CL63、2CL64、2CL65、2CL66、2CL67、2CL68. SJ/T 10807适用于2CL61、2CL 62、2CL 63、2CL 64、2CL 65.2CL 66、2CL 67和2CL 68型玻璃钝化封装高压硅堆。它是按照GB6351-86《100A以下环境和管壳额定整流二极管空白详细规范(包括雪崩整流二极管)》制订的,符合国家标准GB 4936.1-85 《半导体分立器件总规范》II 类的要求。 中国电子元器件质量认证委员会标准化机构是中国电子技术标准化研究所。 附录A 可焊性试验的补充要求 (补充件) A.1加速老化 对于在器件制成后，又进行沾锡(或镀锡)的器件，需做加速老化。其条件是: 100C水蒸{(中置放1h。 A.2试验方法 a.优先采用焊槽法。 b.必要时， 可采用润湿称量法。按GB 2423.32-85 《电I电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法》进行。润湿过程，按用非活性焊剂时，在3s内达到理论润湿力的35%。 B.2放电试验 a.目的 在规定条件下，考验高压硅堆的放电性能。 b.电路图