SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽

SJ/T 2658.12-2015.Measuring method for semiconductor infrared- emitting diode Part 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth. 1范围 SJ/T 2658.12规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.12通用于半导体红外。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注上期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 SJ/T 2658.1年爵体红外发射二极管测量方法第1部分:总则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 峰值发射波长peakemisstonwavelength 在规定的正向工作电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率所对应的坡长。 3.2 光谱辐射带宽spoctraleadiant bandwidth 在规定的正向工作电酒下，器件的光潜辐射分布曲线上最大辐射功岁的规定百分比所对应的两个波长之差。 4一般要求 测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的一-般要求应符合SJ/T 2658.1的规定。 5测量方法 5.1 方法I——单色仪法 5.1.1测量原理图 采用单色仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的原理图见图1.