SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

SJ/T 2658.9-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle. 1范围 SJ/T 2658.9规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 SJ/T 2658.9适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注8期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2900.65- -2004 电工术语:照明 GB/T 15651--1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件 SJ/T 2658.1半 导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则 SJ/T 2658.8半 导体红外发射二极管测量方法第8部分:辐射强度 CIE127: 1997 技术报告LED 测量 3术语和定义 GB/T 2900.65-2004 和GB/T 15651- -1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 辐射强度空间分布spatial distribution of radiant intensity 器件在规定的正向工作电流下，垂直和平行p-n结方向的辐射强度随空间角的分布。 4一般要求 测量辐射强度空间分布和半强度角的一-般要求应符合 SJ/T 2658.1的规定。 5测量方法 5.1 测量原理图 辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图见图1。