SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范

SJ/T 1826-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK100. 4规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2423. 23- -2013 环境试验第2部分:试验方法 试验Q:密封 GB/T 4587- -1994 半导体分立器件和集成电路第7 部分:双极型晶体管 GB/T 4589. 1- -2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范 GB/T 4937- -1995 半 导体器件机械和气候试验方法 GB/T 6218- -1996开关用双 极型晶体管空白详细规范 GB/T 7581- -1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T 12560- -1999 半导体器件分 立器件分规范 5极限值(绝对最大额定值) 极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 7.2 包装盒上的标志 包装盒上的标志包括: 一制造厂 商标; 一制造厂 联系方式。 8订货资料 订货单.上应有下列内容: 产品型号和分档标志， 如3DK100A; 一分档色标; 一质量评 定类别标志I，如3DK100AII ; 一本标准编号: 一其他。 9试验条件和检验要求 试验条件和检验要求按表3~表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T 12560- - 1999.