SJ/T 11585-2016 串行存储器接口要求

2022年01月10日 SJ/T 11585
SJ/T 11585-2016.Interface requirements for serial memory. 前言 本标准按照GB/T 1. 1- -2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本标准起草单位:北京兆易创新科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、清华大学微电子学研究所、深圳市中兴微电子技术有限公司、深圳市海思半导体有限公司。 本标准主要起草人:苏志强、刘会娟、刘超、高硕、刘第、李锟、武鹏、刘培。 1范围 SJ/T 11585规定了串行与非型快闪存储器(SPI NAND Flash)的物理接口、结构、指令定义、串行快闪存储器接口(SFI) 参数说明等。 SJ/T 11585适用于串行与非型快闪存储器(以下简称器件)的设计、制造和使用。 2规范性引用文件 本章无条文。 3术语和定义 下列术语种定义适用于本文件, 3.1 初始坏块mtal pad block 指出厂时的功能坏块,这些坏块在出厂后不可被使用,制造商在器件出厂t做好标记,以便用户在出厂后使用时查询D 3.2 状态寄存器satus ogisten 存储内部状态的寄存器 3.3 超错error exceeded 实际错误个数超过纠错码(ECC)可纠错能力称为超错。 4物理接口 4.1引出端排列与定义 4.1.16X8 双侧无引脚扁平封装(DFN6X8) DFN6 X8封装形式的引出端排列如图1所示,封装尺寸描述参见附录A中的A.1。

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