SJ/T 11632-2016 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法

SJ/T 11632-2016.Test method for microcrack defects of silicon wafers for solar cell. 1范围 SJ/T 11632规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)微裂纹缺陷的测试方法。 SJ/T 11632适用于太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试，也可适用于硅片裂纹、杂质和孔洞缺陷的测试。在采用本标准提供的测试方法测试其他类型的样品之前，需由供需双方协商。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的用是必不可少的。凡是注日期的引用文件。及注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文作 GB/T 14264半国体材料术源。 GB/T 26071太时能电池用硅单晶切割片 GB/T 29056太阳电池用多品唯片 3术语和定义 GB/T 14254.3个2607we/T 29055界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 微裂纹microcmach 硅片中的微表纹通就是指宽度在微米量级，无法通过肉眼直接识别的裂发，常见的微裂纹类型参见附录A。 4方法原理 4.1 概述 本标准采用光学法测试硅片中的微裂纹缺陷，利用微裂纹缺陷和正常区域对于光线反射或透射的特性存在明显差异来检测硅片中的微裂纹缺陷。光学法主要分为暗场散射法与明场透射法两种。 4.2暗场散射法 入射光被硅片表面反射，若硅片存在微裂纹缺陷，则入射光在微裂纹区域的散射会加强。在暗室环境中，通过成像系统对硅片成像并分析散射光强的分布即可识别出硅片中的微裂纹缺陷，如图1所示。 4.3明场透射法 入射光透射过硅片表面，若硅片存在微裂纹缺陷，则微裂纹区域的透射光强较正常区域低，通过成像系统对硅片成像并分析透射光强的分布即可识别出硅片中的微裂纹缺陷，如图2所示。