SJ/T 11705-2018 微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法

SJ/T 11705-2018.Ground and power supply impedance test method for microelectronics device packages. 1范围 SJ/T 11705规定了复杂、宽频带微电子器件用封装的地和电源引出端的串联阻抗测试方法。 SJ/T 11705适用于评估和比较不同封装之间性能的差异，并可用于预测封装对电源噪声和地噪声引入程度的影响。 2规范性引用文件 下列文件对于木文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版木适用于木文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GJB 548微电子器件试验方法和程序 3术语和定义及符号 下列术语和定义及符号适用于本文件。 3.1术语和定义 3.1.1 地串联阻抗series ground impedance 固定频率下，半导体芯片界面和外部封装界面之间所有地线导体路径所呈现的感抗和电阻的串联组合。 3.1.2 电源串联阻抗series power supply impedance 固定频率下，半导体芯片界面和外部封装界面之间所有电源线导体路径所呈现的感抗和电阻的串联组合。 3.2符号 Lo一一封装中地线的串联电感， 单位为亨利(H)。 Lp一封装中电源线的串联电感， 单位为亨利(H)。 4一般要求 4.1测试环境 除另有规定外，测试环境(温度、气压等)应符合GJB 548的相关规定。 4.2设备 用于地串联阻抗和电源中联阳航测武的设备应包含合适的时胡电感测试仪和毫欧计: a)射频电感测试仪 (成多频CR测试仪) :应具有串联电心的灾有测试功能，并满足在测试频率100 kHz下，对之1000 nH电感范围的测量准确度为士3%包含测试夹具引入的误差。 b)毫欧计 (或C测试仪) :应能使用四探针法进行覆盖10 m2100测量范围的电阻测试，且测量准确度为土8% (区的误差)。