SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口

SJ/T 11701-2018.Common NAND flash memory interface. 1范围 SJ/T 11701规定了通用NAND型快闪存储器的物理接口、阵列排布、数据接口和时序以及指令定义等。 SJ/T 11701适用于“异步”接口，对于“同步”接口可参照执行。 SJ/T 11701支持1.8 V/3.3 V两种电源电压类型的NANB型快闪存储器(以下简称器件)，同时还支持双列弯引线(SOP)封装和平面触点阵列(59W邹蔑T对于其他电源电压和封装形式的NAND型快闪存储器产品也可参考执行。 2规范性引用文件 3术语和定义 下列术吾和定适用于机 3.1 NAND器化NAND Targe 在一个A个B封装片内几小使能信号的逻辑单元大的芯片组。 3.2 逻辑单元块Hugicel unit number 可以独立执行要以及报告内部状态的最小单元。每个NAND器件的人可以有一个或者多个逻辑单元块。 3.3 页缓存器Pagebuffer 页缓存器用于缓存NAND存储阵列的一个页内的数据。外主控可以通过发送列字节地址对页缓存器进行访问。 当外部数据写入NAND时，页缓存器缓存外部数据。编程操作时，页缓存数据搬至阵列。 当数据从阵列读出时，阵列数据先搬到页缓存器。 3.4 平面地址plane 平面为一个逻辑单元块中区块的集合。一个逻辑单元块可以包含一个， 两个或者四个平面。两平面芯片将一个逻辑单元块划分为两个大的区域，可以同时进行编程、擦除、读操作的区块为2个。