SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

SJ/T 2214-2015.Measuring methods for semiconductor photodiode and phototransistor. 1范围 SJ/T 2214规定了半导体光电二极管和光电晶体管(以下简称“器件”)光电参数的测试方法。 SJ/T 2214适用于半导体光电二极管和光电晶体管光电参数的测试。 SJ/T 2214不适用PIN、雪崩光电二极管的测试。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2421.1- 2008 电工电子产 品环境试验概述和指南 GB/T 11499 2001 半导体分立器件文字符号 3术语和定义 3.1半导体光电二极管 3.1.1 正向电压forward voltage 无光照并通过器件的正向电流为规定值时，正负极间产生的电压降。 3.1.2 暗电流dark current 无光照并在器件两端施加的反向电压为规定值时，通过器件的电流。 3.1.3 反向击穿电压reverse breakdown voltage 无光照并通过器件的反向电流为规定值时，在两极间产生的电压降。 3.1.4 结电容capaciance 无光照并在规定反向电压和频率下，器件两端的电容值。 4一般要求 4.1 总则 器件测试的具体要求应在相关文件中规定，若不指明出处时，本标准中使用“规定”一词时，指按相关文件的规定。 4.2测试仪器/仪表 4.2.1通则 各有关参数的测试仪器应预先进行检定或校准。 4.2.2直流电表 电参数指示用电表的测量误差不大于0.5%。