SJ/T 11707-2018 硅通孔几何测量术语

SJ/T 11707-2018.Terminology for through silicon via geometrical metrology. 1范围 SJ/T 11707规定了硅通孔尺寸的几何测量术语和定义。 SJ/T 11707适用于硅通孔尺寸的几何测量，其中硅通孔可完全贯穿硅晶圆，也可部分贯穿硅晶圆;硅通孔内可含有金属导体及其他介质，也可不包含金属导体及其他介质。 2术语和定义 2.1 硅通孔(TShhrough sificomvaTSV) 位于硅晶圆y且起始于谁晶圆上表面的通孔或凹坑，其 a)硅过孔可以先全贯 整个晶圆深度处可部分贯穿整个晶圆深度; b)孔为可起充金属导体 也可不填有全属导体: c)孔壁在等体与硅之间含付绝缘院，阻挡层等，也可不包含绝缘层、阻挡层警筝。 2.2 晶圆上表面2 wafer topl surhace 硅通孔的福始位置即硅通孔开始刻性位置处的国 该表面共定的是国水平方向，其正交线定义为重直方向。图1为位于晶明面为硅通孔示意图，图2为位于晶面上P硅通孔剖面示意图。 2.3 晶圆下表面wafer bottom surface 与晶圆上表面相背的晶圆表面，如图2所示。 2.4 面积area 硅通孔在特定水平面截面处的几何面积。图1中硅通孔的面积为深色覆盖部分的面积。 2.5 顶部面积top area 硅通孔在晶圆上表面的面积。 2.6 深度depth 从晶圆上表面垂直向晶圆下表面方向测量，位于晶圆上表面到硅通孔最深点的垂直距离，如图2所示。 2.7 中间深度intermediate depth 晶圆上表面至某一选定层的距离，该距离小于硅通孔的深度，如图2所示。 2.8 贯穿深度full depth TSV 硅通孔从晶圆上表面贯穿至晶圆下表面的深度，即晶圆上表面和晶圆下表面之间的垂直距离，如图2所示。 2.9 孔径尺寸horizontal dimensions 硅通孔孔径尺寸。 注:本标准主要采用最大孔径和最小孔径(见2. 12和2. 14)来描述硅通孔在任一截面处的水平尺寸。 其他标可能采用硅通孔开口处的圆形直径或方形边长来描述该尺寸。 2.10 中心center 硅通孔在任意水平面上的几何中心。