SJ 50033/174-2007 半导体分立器件3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

SJ 50033/174-2007.Semiconductro discrete devices Detail specification for type 3DA521 silicon microwave pulse power transistor. 1范围 SJ 50033/174规定了3DA521型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分: 双极型晶体管 GB/T 7581半导体分 立器件外形尺寸 GJB 33A-1997半导体分 立器件总规范 GJB 128A-1997半导 体分立器件试验方法 3要求 3.1 总则 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管应符合本规范和GJB 33A- 1997规定的所有要求。本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范为准。 3.2 设计、结构和外形尺寸 3.2. 1 引出端材料和镀涂层 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。 3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管，并具有阴抗匹配网络。 3.2.3外形尺寸 外形应按图1的规定。 3.3最大额定值和主要电特性 3.3.1最大额定值 最大额定值见表1。 主要电特性见表2。