SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11499-2015.Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide. 1范围 SJ/T 11499规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。 SJ/T 11499适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内，电阻率在1x10^5Ω以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的少用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注四期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T 14264半精体材科术明 GB/T 30867-2014碳化街单晶片厚度和总事度变化测试方法 3术语和定义 GB/T 142 64界定的术语和定义适用于本文件 4方法原理 碳化硅单晶材科的电学参数测试采用范德堡法。对于任意形状、厚度均匀的碳化硅单晶薄片样品，在样品四周做四个欧期按触电极A、B、C、D，典型的范德堡样品及电极位管见图。分别在零磁场和磁场下测量样品的电流和地压由公式(1)和公式(2)计算可得到碳化硅单晶电阻率和霍尔系数。利用霍尔系数的符号可刘断材料的导电类型。将电阻率、霍尔系数代入公式(3)可计算得到碳化硅单晶的霍尔迁移率。